产品介绍

鑫单晶G1硅片
  • 2011年发布了“鑫单晶”类单晶硅片,其转换效率最高可达18.5%,接近传统的直拉单晶硅片;
  • “鑫单晶”的成本要低于直拉单晶硅片,与定向凝固多晶铸锭成本相近;
  • 鑫单晶硅片光衰减要优于直拉单晶硅片,平均低一个百分点以上。
  • 鑫单晶G2硅片
  • 2013年12月,公司发布了其第二代类单晶硅片产品-“鑫单晶G2”,并宣布其进入商业化量产。
  • 相较于2011年发布的第一代类单晶“鑫单晶G1”产品,“鑫单晶G2”平均光电转换效率提升了1.1%,硅片性能取得大幅度提升,可用于制备280/335W(60/72PCS)以上的电池组件。
  • 相较于以传统直拉法制得的单晶产品,“鑫单晶G2”在电池制备过程中有0.5%的额外效率增益,光衰平均低1%,同时具有转换效率相近、面积大、封装损失低等特点,是单晶铸锭技术取得的重大产品突破。
  • 鑫单晶G3-全新的铸锭技术平台
    第四代铸锭单晶硅片产品——G4

    • G4铸锭单晶硅片较上一代G3产品效率提升0.10~0.15%
    • G4已在部分客户实现批量导入,同产线、同工艺条件下与直拉单晶效率差值0.2%以内
    • PERC+SE电池工艺条件下,G4量产平均效率均值>22.1%,外观完美
    • 铸锭单晶产品尺寸灵活,未来更倾向于166尺寸
    • 以158.75尺寸硅片、72片版型为例,组件功率全面突破400Wp,档位更为集中
    • 适用于PERC\MWT\MBB\双面\topcon等各种电池工艺
    • 适用于半片、拼片、叠瓦组件等各种组件技术